（约翰·巴定，198年5月23日-1991年1月3日和alte

attai

（华特·布莱登，192年2月1日-1987年1月13日展示了一个由锗（第一代半导体材料制成的固态电子元器件。

两位科学家观察到当电流信号施加到锗晶体的接触点时，输出的功率将大于输入的功率，这项研究成果于1948年公布。

这就是世界上第一个点接触型晶体管，晶体管单词“

sisto

”是由“

sfe

”和“

esisto

”两个单词组合而成的。

约翰·巴定和华特·布莱登两位科学家的领导--illiamshockley（威廉·肖克莱，191年2月13日-1989年8月12日也不甘置身于这项重要的发明之外，决定做出自己的贡献。

肖克莱在圣诞节期间认真工作并推导出了这种双载流子晶体管的工作原理，并在1949年发表了晶体管理论，同时也预测了另一种更容易量产的晶体管的出现，这就是面接触式双载流子晶体管（ju

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